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G3VM-61ER1/61BR1 MOS FET歐姆龍繼電器

實現(xiàn)了堪比機(jī)械式繼電器的導(dǎo)通電阻40mΩ!DIP60V產(chǎn)品、實現(xiàn)大電流3A開閉的MOS FET繼電器 連續(xù)負(fù)載電流3A(C連接6A)。 可用于微小模擬信號的開關(guān)。

 種類

形狀 接點結(jié)構(gòu) 端子種類 負(fù)載電壓(最大)* 型號 最小包裝單位
每桿裝數(shù)量 每卷裝數(shù)量
DIP6 1a 印刷基板用端子 60V G3VM-61BR1 50
表面安裝端子 G3VM-61ER1
G3VM-61ER1(TR) 1,500
*負(fù)載電壓(最大):表示峰值A(chǔ)C、DC.

絕對最大額定(Ta??25

項目 符號 額定 單位 條件
輸入側(cè) LED正向電流 IF 30 mA ?
反復(fù)峰值LED正向電流 IFP 1 A 100μs脈沖、100pps
直流正向電流降低比率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED反向電流 VR 5 V ?
粘合部位溫度 TJ 125 ?
輸出側(cè) 輸出耐壓 VOFF 60 V ?
連續(xù)負(fù)載電流 A連接 IO 3 A A連接:峰值A(chǔ)C/DC
B、C連接:DC
B連接 3
C連接 6
導(dǎo)通電流降低比率 A連接 △IO/℃ -30 mA/℃ Ta≧25℃
B連接 -30
C連接 -60
脈沖導(dǎo)通電流???? Iop 9 A t=100ms、Duty=1/10
粘合部位溫度 TJ 125 ?
輸入輸出間耐壓(注1) VI-O 2500 Vrms AC持續(xù)1分鐘
使用環(huán)境溫度 Ta -40~+85 無結(jié)冰、無冷凝
貯藏溫度 Tstg -55~+125 無結(jié)冰、無冷凝
焊接溫度條件 260 10s
(注1):測量輸入輸出間的耐壓時,分別對LED針腳、受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。

電氣性能(Ta?25

  • <noframes id="giygi"></noframes>
    • 項目 符號 最小 標(biāo)準(zhǔn) 最大 單位 條件
      輸入側(cè) LED正向電流 VF 1.18 1.33 1.48 V IF=10mA
      反向電流 IR 10 μA VR=5V
      端子間電容 CT 70 pF V=0、f=1MHz
      觸發(fā)LED反向電壓 IFT 0.5 3 mA IO=1A
      復(fù)位LED反向電壓 IFC 0.1 mA IOFF=10μA
      輸出側(cè) 最大輸出導(dǎo)通電阻 A連接 RON 40 70 IF=5mA、Io=2A、t<1s
      B連接 20 IF=5mA、Io=2A、t<1s
      C連接 10 IF=5mA、Io=2A、t<1s
      開路時漏電流 IL
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