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歐姆龍MOS FET繼電器G3VM-WR系列,一“器”在手,檢測不愁

2021-03-11

半導(dǎo)體芯片是推動(dòng)現(xiàn)代科技向前發(fā)展的基石,其質(zhì)量的優(yōu)劣可以直接影響到電子設(shè)備的性能。因此,在其生產(chǎn)過程中有一道重要的工序就是對(duì)半導(dǎo)體芯片的性能進(jìn)行檢測,以保障在后續(xù)生產(chǎn)中能夠正常運(yùn)行。而繼電器作為一種電控制器件,能夠在檢測工序中起到電源供應(yīng)和信號(hào)切換的作用。

今天廣州鼎悅電子為大家介紹的便是歐姆龍新上市的G3VM-WR系列MOS FET繼電器,該系列繼電器分為G3VM-31WR/G3VM-61WR/G3VM-101WR三個(gè)型號(hào),負(fù)載電壓分別為30V/60V/100V,最大連續(xù)負(fù)載電流分別為4.5A/3A/2A。這些產(chǎn)品均采用P-SON4型封裝,應(yīng)用在半導(dǎo)體檢測設(shè)備中可以為設(shè)備提供較高的可靠性,助力檢測更高效,并且憑借其較小的封裝尺寸,也更有利于檢測設(shè)備的小型化設(shè)計(jì)。


         歐姆龍G3VM-WR 系列優(yōu)勢

 

小體積,順應(yīng)發(fā)展趨勢

如今,電子設(shè)備逐漸向小體積的方向發(fā)展,對(duì)應(yīng)用其中的電子元器件小型化要求也在逐步提高。為了順應(yīng)這一趨勢,歐姆龍G3VM-WR系列產(chǎn)品全部采用無引線的小型大容量封裝P-SON4,體積僅為3.4×1.3×2.1mm,這大大節(jié)約了電路板的使用空間,有助于產(chǎn)品小型化設(shè)計(jì)。

                       

高性能,更加安全可靠

由于繼電器的工作環(huán)境比較嚴(yán)苛,因此,出色的穩(wěn)定性與耐受性是保障設(shè)備正常運(yùn)行的基礎(chǔ)。在性能方面,歐姆龍G3VM-WR系列產(chǎn)品的輸入輸出間耐電壓為500VrmsAC持續(xù)一分鐘),并且具有較寬的工作溫度范圍,能夠在-40℃110℃(無結(jié)冰、無凝露)的環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用示例

歐姆龍G3VM-WR系列產(chǎn)品憑借著較高的性能與小體積的優(yōu)勢,可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體檢測設(shè)備、通信設(shè)備、計(jì)量儀器和數(shù)據(jù)記錄儀中。



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